AONT32136C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONT32136C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для AONT32136C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONT32136C даташит

 ..1. Size:315K  aosemi
 aont32136c.pdf pdf_icon

AONT32136C

AONT32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие IGBT... AOCA32301, AOCA24106C, AOCA24106E, AOCA33103E, AOCA33104A, AOCA33104E, AOCA72104E, AONT21313C, AON7403, AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, AOCA32108E, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C, AOCA33102E