Справочник MOSFET. AONT32136C

 

AONT32136C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONT32136C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для AONT32136C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONT32136C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  aosemi
 aont32136c.pdf pdf_icon

AONT32136C

AONT32136C20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... AOCA32301 , AOCA24106C , AOCA24106E , AOCA33103E , AOCA33104A , AOCA33104E , AOCA72104E , AONT21313C , EMB04N03H , AOC3870A , AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E .

History: AOD408 | UTT40N03

 

 
Back to Top

 


 
.