AOCA33102E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOCA33102E
   Código: 33102E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.0X2.74-14L

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AOCA33102E Datasheet (PDF)

..1. Size:785K aosemi
aoca33102e.pdf

AOCA33102E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

6.1. Size:761K aosemi
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AOCA33103E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

6.2. Size:792K aosemi
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AOCA33104A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

6.3. Size:817K aosemi
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AOCA33104E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

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Liste

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