AONH36328 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONH36328
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3A-8L
Búsqueda de reemplazo de AONH36328 MOSFET
AONH36328 Datasheet (PDF)
aonh36328.pdf
AONH3632830V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
aonh36334.pdf
AONH3633430V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGSVDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: AUIRF7805Q
History: AUIRF7805Q
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