AONH36328 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONH36328

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: DFN3X3A-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONH36328 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONH36328 datasheet

 ..1. Size:711K  aosemi
 aonh36328.pdf pdf_icon

AONH36328

AONH36328 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 18A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:729K  aosemi
 aonh36334.pdf pdf_icon

AONH36328

AONH36334 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS VDS 30V 30V Low Gate Charge ID (at VGS=10V) 16A 18A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONP38324, AONP36332U, AONP38324U, AOCA36102E, AOC3878, AONG36322, AONU32320, AON7264C, AON6414A, AONH36334, AONR20334C, AONR20485, AONR21117, AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C