AONR66924 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONR66924

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm

Encapsulados: DFN3X3A-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONR66924 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONR66924 datasheet

 ..1. Size:487K  aosemi
 aonr66924.pdf pdf_icon

AONR66924

AONR66924 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 32A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:806K  aosemi
 aonr66922.pdf pdf_icon

AONR66924

AONR66922 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:483K  aosemi
 aonr66620.pdf pdf_icon

AONR66924

AONR66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 24A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:442K  aosemi
 aonr66821.pdf pdf_icon

AONR66924

AONR66821 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGTTM technology 80V ID (at VGS=10V) 93A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONR21305C, AONR21311C, AONR26309A, AONR32320C, AONR36326C, AONR36328, AONR36329, AONR66620, IRF9540N, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, AON6590A, AONA66916, AOND32324, AOND62930