AON6590A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AON6590A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1438 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00099 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AON6590A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AON6590A datasheet

 ..1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6590A 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6590 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6596 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6594 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, IRFP260, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113