AON6590A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6590A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AON6590A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6590A даташит

 ..1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6590A 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6590 40V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6596 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6594 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONR36328, AONR36329, AONR66620, AONR66924, AONL32328, AOE66410, AON6152A, AON6264C, IRFP260, AONA66916, AOND32324, AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113