Справочник MOSFET. AON6590A

 

AON6590A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AON6590A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для AON6590A

 

 

AON6590A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf

AON6590A AON6590A

AON6590A40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf

AON6590A AON6590A

AON659040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf

AON6590A AON6590A

AON659630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf

AON6590A AON6590A

AON659430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top