Справочник MOSFET. AON6590A

 

AON6590A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6590A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00099 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AON6590A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6590A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  aosemi
 aon6590a.pdf pdf_icon

AON6590A

AON6590A40V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 300A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:217K  aosemi
 aon6590.pdf pdf_icon

AON6590A

AON659040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MV MOSFET technology 40V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 100A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:340K  aosemi
 aon6596.pdf pdf_icon

AON6590A

AON659630V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:358K  aosemi
 aon6594.pdf pdf_icon

AON6590A

AON659430V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 35A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONR36328 , AONR36329 , AONR66620 , AONR66924 , AONL32328 , AOE66410 , AON6152A , AON6264C , 8205A , AONA66916 , AOND32324 , AOND62930 , AONS18314 , AONS1R1A70 , AONS1R6A70 , AONS20485 , AONS21113 .

History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019

 

 
Back to Top

 


 
.