AONS30300 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS30300

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 483 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 710 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4020 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00058 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONS30300 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS30300 datasheet

 ..1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdf pdf_icon

AONS30300

AONS30300 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:468K  aosemi
aons30302.pdf pdf_icon

AONS30300

AONS30302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 480A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
aons30306.pdf pdf_icon

AONS30300

AONS30306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 302A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdf pdf_icon

AONS30300

AONS34304C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOND62930, AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AON6380, AONS30302, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310