AONS36303 Todos los transistores

 

AONS36303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS36303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 83 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00328 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de AONS36303 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AONS36303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  aosemi
 aons36303.pdf pdf_icon

AONS36303

AONS3630330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 83A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:408K  aosemi
 aons36308.pdf pdf_icon

AONS36303

AONS3630830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 53A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:406K  aosemi
 aons36302.pdf pdf_icon

AONS36303

AONS3630230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 146A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:406K  aosemi
 aons36304.pdf pdf_icon

AONS36303

AONS3630430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS32106 , AONS32302 , AONS32303 , AONS32304 , AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , IRF1407 , AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 .

History: AUIRF3205

 

 
Back to Top

 


 
.