AONS36312 Todos los transistores

 

AONS36312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AONS36312
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AONS36312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  aosemi
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AONS36312

AONS3631230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:414K  aosemi
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AONS36312

AONS3631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:596K  aosemi
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AONS36312

AONS3631630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:573K  aosemi
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AONS36312

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONS32310 , AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 , AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , SKD502T , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 .

History: PSMN1R2-25YLC

 

 
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