AONS36316 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AONS36316 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS36316

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AONS36316 datasheet

..1. Size:596K aosemi
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AONS36316 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:414K aosemi
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AONS36314 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.2. Size:576K aosemi
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AONS36312 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:573K aosemi
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AONS36348 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)