AONS62606 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS62606

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1050 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AONS62606 datasheet

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AONS62606

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS62606

AONS62602 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS62606

AONS62618 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AONS62606

AONS62614T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

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