AONS62920 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AONS62920

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de AONS62920 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AONS62920 datasheet

 ..1. Size:352K  aosemi
 aons62920.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62920 TM 100V Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62922 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AONS38108, AONS38203, AONS420A60, AONS420A70, AONS520A70, AONS62530, AONS62606, AONS62614T, 7N60, AONS65625, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408