Справочник MOSFET. AONS62920

 

AONS62920 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62920
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS62920

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62920 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  aosemi
 aons62920.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62920TM100V Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 48A Low RDS(ON) Logic Driven RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:336K  1
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:336K  aosemi
 aons62922.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS62922TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62920

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , AONS62530 , AONS62606 , AONS62614T , MMIS60R580P , AONS65625 , AONS660A60 , AONS660A70F , AONS66402T , AONS66405 , AONS66405T , AONS66407 , AONS66408 .

 

 
Back to Top

 


 
.