AONS66614 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AONS66614
   Código: 66614
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AONS66614

AONS66614 Datasheet (PDF)

..1. Size:720K aosemi
aons66614.pdf

AONS6661460V N-Channel AlphaSGT TMGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:377K aosemi
aons66612.pdf

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

6.2. Size:410K aosemi
aons66615.pdf

AONS66615TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.3. Size:447K aosemi
aons66617.pdf

AONS66617TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 110A MSL1 Rated 260C reflow 175C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

6.4. Size:445K aosemi
aons66613.pdf

AONS66613TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 196A MSL1 Rated 260C reflow 175C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

6.5. Size:715K aosemi
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AONS66612TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.6. Size:428K aosemi
aons66615t.pdf

AONS66615TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 114A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: