AONX38168A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AONX38168A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de AONX38168A MOSFET
AONX38168A Datasheet (PDF)
aonx38168a.pdf
AONX38168A25V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 87A 226A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonx38168.pdf
AONX3816825V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 25V 25V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonx38320.pdf
AONX3832030V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2VDS 30V 30V Bottom Source Technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 66A 233A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aonx36322.pdf
AONX3632230V Dual Asymmetric N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Bottom Source TechnologyVDS 30V 30V Very Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 55A 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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