AOSN32128 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSN32128

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SC70

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AOSN32128 datasheet

 ..1. Size:292K  aosemi
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AOSN32128

AOSN32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:313K  aosemi
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AOSN32128

AOSN32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, STP80NF70, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C