AOSN32128. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOSN32128

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для AOSN32128

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSN32128 даташит

 ..1. Size:292K  aosemi
 aosn32128.pdf pdf_icon

AOSN32128

AOSN32128 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:313K  aosemi
 aosn32338c.pdf pdf_icon

AOSN32128

AOSN32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONV310A60, AONV420A60, AONV420A70, AOLF66412, AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, STP80NF70, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C