Справочник MOSFET. AOSN32128

 

AOSN32128 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSN32128
   Маркировка: 4SN*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для AOSN32128

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSN32128 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  aosemi
 aosn32128.pdf pdf_icon

AOSN32128

AOSN3212820V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:313K  aosemi
 aosn32338c.pdf pdf_icon

AOSN32128

AOSN32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONV310A60 , AONV420A60 , AONV420A70 , AOLF66412 , AOLF66413 , AOLF66417 , AOLF66610 , AOLF66910 , 20N50 , AOSN32338C , AOSX21319C , AOSX32128 , AO4264C , AOSD21307 , AOSD21311C , AOSD21313C , AOSD26313C .

History: AOSN32338C

 

 
Back to Top

 


 
.