AOSD21311C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSD21311C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de AOSD21311C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOSD21311C datasheet

 ..1. Size:383K  aosemi
aosd21311c.pdf pdf_icon

AOSD21311C

AOSD21311C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 6.1. Size:367K  aosemi
aosd21313c.pdf pdf_icon

AOSD21311C

AOSD21313C 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.7A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 7.1. Size:315K  aosemi
aosd21307.pdf pdf_icon

AOSD21311C

AOSD21307 30V Dual P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Advanced Trench Technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -9A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.1. Size:687K  aosemi
aosd26313c.pdf pdf_icon

AOSD21311C

AOSD26313C 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary P-Channel N-Channel Latest Advanced Trench Technology VDS= -30V VDS= 30V Low RDS(ON) ID=-5.7A (VGS=-10V) ID= 7A (VGS=10V) High Current Capability RDS(ON) RDS(ON) RoHS and Halogen-Free Compliant

Otros transistores... AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, AO4264C, AOSD21307, IRFP250, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C, AOSP36326C, AOSP62530