AOSP66925 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOSP66925

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm

Encapsulados: SO8

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AOSP66925 datasheet

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AOSP66925

AOSP66925 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology 100V ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOSP66925

AOSP66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOSP66925

AOSP66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 12A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOSP66925

AOSP66919 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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