AOSS21311C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOSS21311C
   Código: LL*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOSS21311C

AOSS21311C Datasheet (PDF)

..1. Size:383K aosemi
aoss21311c.pdf

AOSS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

6.1. Size:349K aosemi
aoss21319c.pdf

AOSS21319C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

7.1. Size:322K aosemi
aoss21329.pdf

AOSS2132930V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -2.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.1. Size:291K aosemi
aoss21115c.pdf

AOSS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

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Liste

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