AOTF095A60FDL MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTF095A60FDL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTF095A60FDL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO220F

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AOTF095A60FDL datasheet

..1. Size:454K aosemi
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AOTF095A60FDL TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 56A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

4.1. Size:499K aosemi
aotf095a60l aot095a60l aob095a60l.pdf pdf_icon

AOTF095A60L/AOT095A60L/AOB095A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

4.2. Size:499K aosemi
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9.1. Size:448K aosemi
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AOTF080A60L TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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