AOTF66920L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOTF66920L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOTF66920L

AOTF66920L Datasheet (PDF)

..1. Size:742K aosemi
aotf66920l.pdf

AOTF66920LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 41A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:365K aosemi
aotf66919l.pdf

AOTF66919LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:370K aosemi
aotf66811l.pdf

AOTF66811LTM80V N-Channel AlphaSGT2General Description Product SummaryVDS80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:376K aosemi
aotf66613l.pdf

AOTF66613LTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 90A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:723K aosemi
aotf66616l.pdf

AOTF66616LTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 72.5A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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Liste

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