AOK042A60FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK042A60FD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de AOK042A60FD MOSFET
AOK042A60FD Datasheet (PDF)
aok042a60fd.pdf

AOK042A60FDTM600V,aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aok040a60.pdf

AOK040A60TM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
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History: VN67AB | HM50N08 | UPA3753GR | AP6N6R5LMT | AP9950GP | QM04N65F1 | STF9NM60N
History: VN67AB | HM50N08 | UPA3753GR | AP6N6R5LMT | AP9950GP | QM04N65F1 | STF9NM60N



Liste
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