AOK042A60FD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOK042A60FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для AOK042A60FD
AOK042A60FD Datasheet (PDF)
aok042a60fd.pdf
AOK042A60FDTM600V,aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aok040a60.pdf
AOK040A60TM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 250A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOTF66613L , AOTF66616L , AOTF66811L , AOTF66919L , AOTF66920L , AOTF780A70L , AOK031A60FD , AOK040A60 , IRF4905 , AOK065A60 , AOK065A60FD , AOK095A60 , AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 .
History: BLP023N10-P | BLP065N08GL-Q | BLP075N10G-P | BLP02N06-Q | BLP12N10G-D
History: BLP023N10-P | BLP065N08GL-Q | BLP075N10G-P | BLP02N06-Q | BLP12N10G-D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416



