AOK66518 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK66518
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 820 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de AOK66518 MOSFET
AOK66518 Datasheet (PDF)
aok66518.pdf
AOK66518TM150V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)
aok66914.pdf
AOK66914TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)
aok66613.pdf
AOK66613TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: JMSL1006PG
History: JMSL1006PG
Liste
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