AOI380A60C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOI380A60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251A
Búsqueda de reemplazo de AOI380A60C MOSFET
AOI380A60C Datasheet (PDF)
aoi380a60c.pdf
AOD380A60C/AOI380A60CTM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 , AOI1R4A70 , AOI21357 , AOI360A70 , CS150N03A8 , AOI450A70 , AOI600A60 , AOI600A70 , AOI600A70R , AOI950A70 , AOY66620 , AOY66919 , AOY66920 .
History: NCE55H12 | 25N10L-TF2-T
History: NCE55H12 | 25N10L-TF2-T
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754

