AOD66643 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOD66643 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD66643

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO252

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AOD66643 datasheet

..1. Size:369K aosemi
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AOD66643 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:732K aosemi
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AOD66616 60V N-Channel AlphaSGT TM General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:356K aosemi
aod66620.pdf pdf_icon

AOD66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:555K aosemi
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AOD661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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