AOD66643. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOD66643

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AOD66643

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD66643 даташит

 ..1. Size:369K  aosemi
 aod66643.pdf pdf_icon

AOD66643

AOD66643 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:732K  aosemi
 aod66616.pdf pdf_icon

AOD66643

AOD66616 60V N-Channel AlphaSGT TM General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 70A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:356K  aosemi
 aod66620.pdf pdf_icon

AOD66643

AOD66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:555K  aosemi
 aod661.pdf pdf_icon

AOD66643

AOD661 30V Dual Complementary MOSFET General Description Product Summary Q1 Q2 VDS 30V -30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A -12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOD380A60, AOD380A60C, AOD450A70, AOD600A60, AOD600A70, AOD600A70R, AOD66616, AOD66620, 75N75, AOD66919, AOD66920, AOD66923, AOD780A70, AOD950A70, AOD609G, AOW125A60, AOW190A60C