AOW360A70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOW360A70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 34 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de AOW360A70 MOSFET
AOW360A70 Datasheet (PDF)
aow360a70.pdf

AOW360A70/AOWF360A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 48A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Otros transistores... AOD66919 , AOD66920 , AOD66923 , AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , 60N06 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 , AOWF380A60C .
History: MSF4N60 | FMV10N80E | LSGE10R080W3 | FDM100-0045SP | TD422BL | HUF75831SK8T | SPP80N05L
History: MSF4N60 | FMV10N80E | LSGE10R080W3 | FDM100-0045SP | TD422BL | HUF75831SK8T | SPP80N05L



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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