AOWF095A60 Todos los transistores

 

AOWF095A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOWF095A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262F
 

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AOWF095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
 aowf095a60.pdf pdf_icon

AOWF095A60

AOWF095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , EMB04N03H , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , AOWF600A70 .

History: KRLML6402 | P1350ATF | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | NCE60H10D

 

 
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