Справочник MOSFET. AOWF095A60

 

AOWF095A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOWF095A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO262F
 

 Аналог (замена) для AOWF095A60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
 aowf095a60.pdf pdf_icon

AOWF095A60

AOWF095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOD780A70 , AOD950A70 , AOD609G , AOW125A60 , AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , EMB04N03H , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , AOWF360A70 , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , AOWF600A70 .

History: IPD90N06S4-05 | MTP4835Q8 | AUIRF8736M2TR | PT4606 | AONR34332C

 

 
Back to Top

 


 
.