AOWF600A70F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOWF600A70F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO262F

 Búsqueda de reemplazo de AOWF600A70F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOWF600A70F datasheet

 ..1. Size:463K  aosemi
 aowf600a70f.pdf pdf_icon

AOWF600A70F

AOWF600A70F TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 4.1. Size:708K  aosemi
 aowf600a70.pdf pdf_icon

AOWF600A70F

AOWF600A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:436K  aosemi
 aowf600a60.pdf pdf_icon

AOWF600A70F

AOWF600A60 TM 600V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOWF125A60, AOWF160A60, AOWF190A60C, AOWF360A70, AOWF380A60C, AOWF450A70, AOWF600A60, AOWF600A70, AO4468, AOWF780A70, AOB095A60L, AOB125A60L, AOB160A60L, AOB190A60CL, AOB190A60L, AOB280A60L, AOB360A70L