AOB600A70L Todos los transistores

 

AOB600A70L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOB600A70L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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AOB600A70L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  aosemi
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AOB600A70L

AOTF600A70L/AOT600A70L/AOB600A70LTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:475K  aosemi
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AOB600A70L

AOB600A70FLTM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 34A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 7.1. Size:483K  aosemi
 aob600a60l.pdf pdf_icon

AOB600A70L

AOTF600A60L/AOT600A60L/AOB600A60LTM600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 32A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Otros transistores... AOB190A60CL , AOB190A60L , AOB280A60L , AOB360A70L , AOB380A60CL , AOB450A70L , AOB600A60L , AOB600A70FL , IRF1404 , AOB66216L , AOB66518L , AOB66613L , AOB66616L , AOB66620L , AOB66811L , AOB66916L , AOB66919L .

History: PHP160NQ08T | AOT22N50L | CEP80N15 | CEB6060N | IXTQ96N15P | HGP640N25S | AOD472

 

 
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