AOB66620L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOB66620L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOB66620L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO263

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AOB66620L datasheet

..1. Size:390K aosemi
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AOT66620L/AOB66620L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 57A Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:390K aosemi
aot66620l aob66620l.pdf pdf_icon

8.1. Size:1258K aosemi
aot66616l aob66616l.pdf pdf_icon

AOT66616L/AOB66616L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 140A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:395K aosemi
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AOT66613L/AOB66613L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

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