AOB66919L Todos los transistores

 

AOB66919L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOB66919L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOB66919L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  aosemi
 aob66919l.pdf pdf_icon

AOB66919L

AOB66919LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:769K  aosemi
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AOB66919L

AOT66916L/AOB66916LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Best in class on-resistance RDS(ON) Lowers switching loss by lower Qrr than other MOSFET RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:842K  aosemi
 aob66920l.pdf pdf_icon

AOB66919L

AOT66920L/AOB66920LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:383K  aosemi
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AOB66919L

AOB66935LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 180A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: FQB10N60CTM | DMN2170U | RW1E025RP | CED95P04 | FHP100N03C | SI2309CDS | VS3645GE

 

 
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