AOB66920L MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOB66920L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOB66920L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO263

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AOB66920L datasheet

..1. Size:842K aosemi
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AOT66920L/AOB66920L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:840K aosemi
aot66920l aob66920l.pdf pdf_icon

8.1. Size:769K aosemi
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AOT66916L/AOB66916L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Best in class on-resistance RDS(ON) Lowers switching loss by lower Qrr than other MOSFET RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:409K aosemi
aot66914l aob66914l.pdf pdf_icon

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

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