AOB66920L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOB66920L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 485 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOB66920L
AOB66920L Datasheet (PDF)
aob66920l.pdf
AOT66920L/AOB66920LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66916l.pdf
AOT66916L/AOB66916LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Best in class on-resistance RDS(ON) Lowers switching loss by lower Qrr than other MOSFET RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66935l.pdf
AOB66935LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 180A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)
aob66919l.pdf
AOB66919LTM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
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Liste
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