AOTL130A60FD Todos los transistores

 

AOTL130A60FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTL130A60FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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AOTL130A60FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  aosemi
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AOTL130A60FD

AOTL130A60FDTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 112A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOTL130A60FD

AOTL160A60600V, aMOS TM N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOTL130A60FD

AOTL190A60TM600V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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AOTL130A60FD

AOTL125A60TM600V, a MOS5 TOLLfor high density, high reliability SMPSGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: FHF18N50A | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | MMN668A010U1 | AFN3458

 

 
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