AOTL160A60 Todos los transistores

 

AOTL160A60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTL160A60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOTL160A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:551K  aosemi
 aotl160a60.pdf pdf_icon

AOTL160A60

AOTL160A60600V, aMOS TM N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 96A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:450K  aosemi
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AOTL160A60

AOTL130A60FDTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 112A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:456K  aosemi
 aotl190a60.pdf pdf_icon

AOTL160A60

AOTL190A60TM600V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 80A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.3. Size:442K  aosemi
 aotl125a60.pdf pdf_icon

AOTL160A60

AOTL125A60TM600V, a MOS5 TOLLfor high density, high reliability SMPSGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 100A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

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History: G11 | CEF05N6 | AUIRF7734M2 | AM2336N-T1 | DMP1096UCB4 | SMOS44N80

 

 
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