AOTL66915 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTL66915 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTL66915

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 428 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 339 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: TOLLA

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AOTL66915 datasheet

..1. Size:494K aosemi
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AOTL66915 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 100V Higher in-rush current enabled for faster start-up and ID (at VGS=10V) 339A shorter down time RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:406K aosemi
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AOTL66912Q TM 100V N-Channel AlphaSGT AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VDS 100V AEC-Q101 Qualified ID (at VGS=10V) 370A Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology Low Rds(on) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66912 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 380A Combination of low RDS(ON) and wide safe operating area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66914 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 220A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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