AOTL66918 Todos los transistores

 

AOTL66918 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTL66918
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 214 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLLA
 

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AOTL66918 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  aosemi
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AOTL66918

AOTL66918100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 100V Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area ID (at VGS=10V) 214A (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:406K  aosemi
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AOTL66918

AOTL66912QTM100V N-Channel AlphaSGTAEC-Q101 QualifiedGeneral Description Product SummaryVDS100V AEC-Q101 Qualified ID (at VGS=10V) 370A Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology Low Rds(on) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:658K  aosemi
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AOTL66918

AOTL66912TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 380A Combination of low RDS(ON) and wide safe operatingarea (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.3. Size:375K  aosemi
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AOTL66918

AOTL66914TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 220A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: 2SJ661-DL-E

 

 
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