AOTS32334C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTS32334C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSOP-6L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AOTS32334C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOTS32334C datasheet

 ..1. Size:328K  aosemi
 aots32334c.pdf pdf_icon

AOTS32334C

AOTS32334C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:332K  aosemi
 aots32338c.pdf pdf_icon

AOTS32334C

AOTS32338C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOTL66914, AOTL66915, AOTL66918, AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108, AON7506, AOTS32338C, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920