AOTS32334C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOTS32334C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6L
Аналог (замена) для AOTS32334C
AOTS32334C Datasheet (PDF)
aots32334c.pdf

AOTS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aots32338c.pdf

AOTS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AOTL66914 , AOTL66915 , AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AON7506 , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 .
History: NTMS5835NLR2G | SM8A01NSF | NCE50N540F | KU390N10P | 2N6800SM | SIHB12N60E | RUH85100M-C
History: NTMS5835NLR2G | SM8A01NSF | NCE50N540F | KU390N10P | 2N6800SM | SIHB12N60E | RUH85100M-C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent