Справочник MOSFET. AOTS32334C

 

AOTS32334C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTS32334C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6L
 

 Аналог (замена) для AOTS32334C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS32334C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:328K  aosemi
 aots32334c.pdf pdf_icon

AOTS32334C

AOTS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:332K  aosemi
 aots32338c.pdf pdf_icon

AOTS32334C

AOTS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.8A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AOTL66914 , AOTL66915 , AOTL66918 , AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AON7506 , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 .

History: SIHB12N60E | FRK250 | NCE50N540F | NTMS5835NLR2G

 

 
Back to Top

 


 
.