FXN8N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN8N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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FXN8N65F datasheet

 ..1. Size:302K  cn fx-semi
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FXN8N65F

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 650 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V - - 1 A Ga

 7.1. Size:947K  cn fx-semi
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FXN8N65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN8N65D Series Rev.A General Description Features The FXN8N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 8.1. Size:583K  cn fx-semi
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FXN8N65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN8N60F Series Rev.A General Description Features The FXN8N60F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial appl

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