FXN8N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN8N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
FXN8N65F Datasheet (PDF)
fxn8n65f.pdf
1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 650 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V - - 1 A Ga
fxn8n65d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN8N65D Series Rev.A General Description Features The FXN8N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 8A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria
fxn8n60f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN8N60F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN8N60F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 600VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 8A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
