FXN15N06D Todos los transistores

 

FXN15N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN15N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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FXN15N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:701K  cn fx-semi
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FXN15N06D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN15N06D Series Rev.AGeneral Description Features The FXN15N06D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whicVDS = 60V h ID = 45A @VGS = 10V provides high performance in on-state resistance, fast switching Very low on-resistance performance, and excellent quality. RDS(ON)

 8.1. Size:479K  cn fx-semi
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FXN15N06D

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a

 9.1. Size:450K  cn fx-semi
 fxn15s50f.pdf pdf_icon

FXN15N06D

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15S50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15S50F uses advanced Cool MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial application

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History: MDF11N60TH | 2N6915

 

 
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