DH0159B Todos los transistores

 

DH0159B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH0159B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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DH0159B datasheet

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 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159B

DH0159/DH0159F/DH0159B DH0159D/DH0159I/DH0159E 59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 13.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 59A D 2 Features Low on resistance

Otros transistores... 14N65 , 18N50D , D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , IRFP250 , DH0159D , DH0159E , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E .

 

 

 


 
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