DH0159B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DH0159B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TO251

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DH0159B datasheet

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DH0159B

DH0159/DH0159F/DH0159B DH0159D/DH0159I/DH0159E 59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 13.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 59A D 2 Features Low on resistance

Otros transistores... 14N65, 18N50D, D2N60, D4N70, D4N80, D50N06, D5N50, DH0159, IRFP450, DH0159D, DH0159E, DH0159F, DH0159I, DH019N04, DH019N04B, DH019N04D, DH019N04E