DH0159B Todos los transistores

 

DH0159B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH0159B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de DH0159B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DH0159B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159B

DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance

Otros transistores... 14N65 , 18N50D , D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , IRFP250 , DH0159D , DH0159E , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E .

History: SIHA25N50E | FXN0204C

 

 
Back to Top

 


 
.