DH0159B - описание и поиск аналогов

 

DH0159B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH0159B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для DH0159B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH0159B даташит

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159B

DH0159/DH0159F/DH0159B DH0159D/DH0159I/DH0159E 59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 13.0m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 59A D 2 Features Low on resistance

Другие MOSFET... 14N65 , 18N50D , D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , IRFP250 , DH0159D , DH0159E , DH0159F , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E .

History: SLD65R280E7C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.