DH0159F Todos los transistores

 

DH0159F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DH0159F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DH0159F Datasheet (PDF)

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 dh0159 dh0159f dh0159b dh0159d dh0159i dh0159e.pdf pdf_icon

DH0159F

DH0159/DH0159F/DH0159BDH0159D/DH0159I/DH0159E59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 13.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 59AD2 Features Low on resistance

Otros transistores... D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D , DH0159E , STP80NF70 , DH0159I , DH019N04 , DH019N04B , DH019N04D , DH019N04E , 20N65D , 23N50D , 5N65C .

History: 2SJ552 | WMK115N15HG4

 

 
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