DH019N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DH019N04D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 183 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 784 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
DH019N04D Datasheet (PDF)
..1. Size:1223K cn wxdh
dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf
dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf
DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin
Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
