Справочник MOSFET. DH019N04D

 

DH019N04D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH019N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 183 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DH019N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH019N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1223K  cn wxdh
 dh019n04 dh019n04f dh019n04i dh019n04e dh019n04b dh019n04d.pdf pdf_icon

DH019N04D

DH019N04/DH019N04F/DH019N04IDH019N04E/DH019N04B/DH019N04D250A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 250AD2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.