B7N70 Todos los transistores

 

B7N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B7N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de B7N70 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

B7N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  cn wxdh
 b7n70.pdf pdf_icon

B7N70

B7N707A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 700Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 7.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=1.352 Features Fast switching ESD impro

Otros transistores... B4N65 , B4N80 , B50N06 , B5N50 , B5N65 , B630 , B640 , B740 , IRF540 , B80N06 , DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , DH009N02E , DH009N02F .

History: STM4806 | CMP40P03 | TMPF8N50Z | R6004JNX | APT5020BLC | HSP0048

 

 
Back to Top

 


 
.